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      东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

      2020-10-19 阅读:
      东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。

      中国上海,20201019——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。Lhxednc

      Lhxednc

      该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。Lhxednc

      新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1],实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)“GT40QR21”相比,“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右,开关时间(下降时间)缩短大约70%,并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。Lhxednc

      它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内,有助于减少故障风险(意外开启或关闭)。此外,内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功率损耗。Lhxednc

      在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中,这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的,而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。Lhxednc

      应用:Lhxednc

      ?大容量AC-DC转换器Lhxednc

      ?光伏逆变器Lhxednc

      ?大容量双向DC-DC转换器Lhxednc

      特性:Lhxednc

      ?第2代芯片设计(内置碳化硅SBD)Lhxednc

      ?高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压:Lhxednc

      VDSS=1200V,Ciss=1680pF(典型值),Qg=67nC(典型值),Lhxednc

      RDS(ON)=70mΩ(典型值),VDSF=-1.35V(典型值),Vth=4.2~5.8VLhxednc

      ?增强类型易于操作Lhxednc

      主要规格:Lhxednc

      (除非另有说明,@Ta=25℃)Lhxednc

      器件型号Lhxednc

      TW070J120BLhxednc

      封装Lhxednc

      TO-3P(N)Lhxednc

      绝对最大额定值Lhxednc

      漏-源电压VDSS(V)Lhxednc

      1200Lhxednc

      漏极电流(DC)ID @TC=25℃(A)Lhxednc

      36.0Lhxednc

      电气特性Lhxednc

      漏-源导通电阻RDS(ON)典型值Lhxednc

      @VGS=20V(mΩ)Lhxednc

      70Lhxednc

      栅阈值电压VthLhxednc

      @VDS=10V,ID=20mA(V)Lhxednc

      4.2至5.8Lhxednc

      总栅电荷Qg典型值(nC)Lhxednc

      67Lhxednc

      输入电容Ciss典型值(pF)Lhxednc

      1680Lhxednc

      二极管正向电压VDSF典型值Lhxednc

      @IDR=10A,VGS=-5V(V)Lhxednc

      -1.35Lhxednc

      库存查询与购买Lhxednc

       Lhxednc

       

       Lhxednc

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